。

碳化硅襯底的加工過程主要經(jīng)過切割、削薄和拋光

。介于碳化硅目前的加工工藝還不成熟

，傳統(tǒng)的切割工具容易損壞晶片，使得良率比較低

。碳化硅本身韌性也不夠，容易在削薄過程中開裂，所以這也是一道技術(shù)活。

所有這些制造及加工工藝

，同樣會影響后期器件的性能，影響良率，進(jìn)而影響產(chǎn)能、成本。以特斯拉Model 3為例，其主驅(qū)動逆變器采用了48個碳化硅MOSFET，總成本約為5000元，是硅基IGBT的3-5倍

。

據(jù)Wolfspeed預(yù)測

，2022年碳化硅材料的市場規(guī)模為7億美元，器件市場規(guī)模為43億美元。2026年碳化硅材料市場規(guī)模達(dá)到17億美元，器件市場規(guī)模將達(dá)到89億美元。2022到2026年，材料市場規(guī)模年均復(fù)合增長率為24.84%，超過器件市場規(guī)模的年均復(fù)合增長率。

由此可見，碳化硅襯底產(chǎn)能的擴(kuò)大對行業(yè)的發(fā)展有極大的推動作用

。

碳化硅下游應(yīng)用范圍廣泛

，包含5G通信、光伏、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域，但僅新能源汽車就會消耗掉全球大部分的碳化硅產(chǎn)能